對(duì)于正在備考的同學(xué)們來(lái)說(shuō)，真題是非常重要的學(xué)習(xí)資料，暨南大學(xué)公布了2020年的考研真題，計(jì)劃報(bào)考暨南大學(xué)的同學(xué)們可要趕緊收藏哦，以下是小編整理的“考研真題：桂林理工大學(xué)2020年碩士研究生入學(xué)考試真題材料科學(xué)基礎(chǔ)I”的相關(guān)內(nèi)容，點(diǎn)擊即可查看！
桂林理工大學(xué)2020年碩士研究生入學(xué)考試試題
考試科目代碼：856
考試科目名稱：材料科學(xué)基礎(chǔ)I
（總分150分，三小時(shí)答完）
考生注意：1．請(qǐng)將答題寫(xiě)在答卷紙上，寫(xiě)在試卷上視為無(wú)效。
2．考試需帶 無(wú)存儲(chǔ)功能的科學(xué)計(jì)算器、三角板、2B鉛筆、橡皮 用具
一 、選擇題（每小題2分，共20分）
1. 原子晶體中的化學(xué)鍵是：（ ）
A. 共價(jià)鍵 B. 氫鍵 C.范德華健
2. 面心立方的密排面：（ ）
A. {112} B. {110} C. {111}
3. 下列屬于二級(jí)相變的是：（ ）
A. α-石英轉(zhuǎn)變到α-磷石英 B. 晶體的熔化 C.超導(dǎo)態(tài)相變
4. 以下各系統(tǒng)中屬于單相的是：（ ）
A. Zn-Cu形成的固溶體 B. 冰水混合物 C. α-石英與β-石英的混合物
5. 幾種擴(kuò)散的微觀機(jī)制中，對(duì)于置換固溶體最容易發(fā)生的是：（ ）
A. 易位擴(kuò)散 B. 環(huán)形易位擴(kuò)散 C. 空位擴(kuò)散
6. 下列潤(rùn)濕角與潤(rùn)濕程度的關(guān)系正確的是：（ ）
A. θ<90o，不潤(rùn)濕 B. θ>90 o，不潤(rùn)濕 C. θ=180 o，完全潤(rùn)濕
7. 熱力學(xué)一級(jí)相變特點(diǎn)的是 （ ）
A. ?V=0， ?S=0 B. ?V≠0， ?S≠0 C. ?V≠0， ?S=0
8. 下列關(guān)于形核說(shuō)法正確的是 （ ）
A. 過(guò)冷度?T越大，則臨界半徑越大
B. 非均勻形核比均勻形核難度更大
C. 均勻形核發(fā)生在均勻溶液或熔體內(nèi)部，晶核產(chǎn)生幾率處處相同
9. 有A-B-C組元形成的三元相圖，其等邊成分三角形(ABC)內(nèi)平行于AB的直線上任意一點(diǎn)表示: （ ）
A. C組元的濃度為定值 B. B與A組元的濃度比為定值 C. 以上兩選項(xiàng)都錯(cuò)
10. 某一位錯(cuò)的位錯(cuò)線方向與其對(duì)應(yīng)的柏氏矢量平行，則這一位錯(cuò)為： （ ）
A. 刃型位錯(cuò) B. 螺型位錯(cuò) C. 混合位錯(cuò)
二、名詞解釋（每小題5分，共25分）
1. 配位數(shù)與配位多面體
2. 肖特基缺陷
3. 同質(zhì)多晶
4. 一級(jí)相變
5. 燒結(jié)
三、判斷題（每題2分，共20分）
1. 擴(kuò)散系數(shù)是與溫度有關(guān)，與晶體結(jié)構(gòu)無(wú)關(guān)的。 （ ）
2. 晶體中的熱缺陷在外力場(chǎng)作用下可以做定向運(yùn)動(dòng)。 （ ）
3. 馬氏體屬于二級(jí)相變。 （ ）
4. 溫度越高，原子熱激活能越小，擴(kuò)散系數(shù)越小。 （ ）
5. 空間點(diǎn)陣是晶體中質(zhì)點(diǎn)排列的幾何抽象，只有14種布拉維空間格子類型，而實(shí)際存在的晶體結(jié)構(gòu)是無(wú)限的。 （ ）
6. 對(duì)于固體表面，其表面張力在數(shù)值上不等于表面自由能。 （ ）
7. 基于結(jié)晶化原理，威爾等人提出了晶體的表面雙電層理論，認(rèn)為鍵強(qiáng)是影響表面結(jié)構(gòu)的重要因素。
（ ）
8. 結(jié)晶時(shí)凡是能降低形核速率、提高生長(zhǎng)速率的因素，都能使晶粒細(xì)化。 （ ）
9. 蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)過(guò)程可以通過(guò)延長(zhǎng)燒結(jié)時(shí)間達(dá)到燒結(jié)的目的。 （ ）
10. 在立方晶相中，晶向指數(shù)[uvw]和晶面指數(shù)（hkl）中的數(shù)字相同時(shí)，對(duì)應(yīng)的晶向和晶面相互垂直。 （ ）
四、問(wèn)答題（每小題15分，共60分）
1. 燒結(jié)過(guò)程中物質(zhì)遷移機(jī)理有哪幾種？其特點(diǎn)是什么？
2. 作圖表示立方晶體中（111）、(131)晶面與[130]、[111]晶向。
3. 書(shū)寫(xiě)缺陷反應(yīng)方程時(shí)，應(yīng)遵循的基本原則有哪些？請(qǐng)根據(jù)上述原則寫(xiě)出Y2O3中加入MgO形成空位型缺陷的方程式以及固溶體化學(xué)式。
4. 擴(kuò)散的機(jī)制主要有哪幾種？
五、綜合分析題（每小題5分，共25分）
圖1為三元系統(tǒng)相圖，據(jù)圖回答以下問(wèn)題：
1.說(shuō)明化合物S的性質(zhì)。（5分）
2. 指出無(wú)變量點(diǎn)P、E的性質(zhì)。（5分）
3. 分析組成點(diǎn)1、2元系統(tǒng)的冷卻結(jié)晶過(guò)程。（15分）
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原文標(biāo)題：2020年考研真題
原文鏈接：https://yjsy.glut.edu.cn/info/1189/4400.htm
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