陜西科技大學(xué)碩士研究生入學(xué)考試
《半導(dǎo)體物理》考試大綱
一、考試要求
要求考生對半導(dǎo)體物理學(xué)的基本概念有深入的理解，系統(tǒng)掌握半導(dǎo)體物理學(xué)中基本定理和定律，并具有綜合運用所學(xué)知識分析和解決問題的能力。
二、考試內(nèi)容
1．晶體結(jié)構(gòu)（金剛石、閃鋅礦、纖鋅礦結(jié)構(gòu)）和半導(dǎo)體的結(jié)合性質(zhì)；
2．半導(dǎo)體中電子狀態(tài)：Ge、Si、GaAs 能帶結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體有效質(zhì)量、空穴、 雜質(zhì)能級；回旋共振；
3．熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體載流子的統(tǒng)計分布：狀態(tài)密度，費米能級，本征半 導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度，簡并半導(dǎo)體和重摻雜效應(yīng)；
4．半導(dǎo)體的導(dǎo)電性：載流子的漂移運動、遷移率、散射的概念,半導(dǎo)體電 導(dǎo)率隨溫度、雜質(zhì)濃度的變化，強電場效應(yīng)、熱載流子，負阻效應(yīng)；
5．非平衡載流子：非平衡載流子的注入與復(fù)合、壽命、準(zhǔn)費米能級，愛因 斯坦關(guān)系等概念，復(fù)合理論，陷阱效應(yīng)和連續(xù)性方程；
6．p-n 結(jié)：平衡與非平衡 p-n 結(jié)特點及其能帶圖，p-n 結(jié)理想和非理想 I-V 特性，p-n結(jié)電容與擊穿機制，p-n 結(jié)隧道效應(yīng)。
三、考試形式
考試形式均為筆試、閉卷。
參考書目：《半導(dǎo)體物理學(xué)》（第七版）劉恩科，電子工業(yè)出版社
原文標(biāo)題：電智學(xué)院2021年研究生入學(xué)考試大綱
原文鏈接：http://dianxin.www.sust.edu.cn/info/4655/17218.htm
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