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2021考研大綱:上海電力大學(xué)2021年碩士研究生入學(xué)復(fù)試《集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》課程考試大綱

考研大綱是規(guī)定全國(guó)碩士研究生入學(xué)考試相應(yīng)科目的考試范圍、考試要求、考試形式、試卷結(jié)構(gòu)等權(quán)威政策指導(dǎo)性考研用書(shū)。今天,研線網(wǎng)小編為大家整理了“2021考研大綱:上海電力大學(xué)2021年碩士研究生入學(xué)復(fù)試《集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》課程考試大綱”的相關(guān)內(nèi)容,希望對(duì)大家有所幫助!

 
1.李偉華,VLSI設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(第三版),北京:電子工業(yè)出版社,2013.6。
 
2.郝躍,微電子概論(第2版),北京:電子工業(yè)出版社,2011.6。
 
復(fù)習(xí)的總體要求
 
本課程以硅集成電路為基礎(chǔ),要求全面掌握有關(guān)集成電路設(shè)計(jì)的專業(yè)基礎(chǔ)知識(shí),重點(diǎn)是集成電路設(shè)計(jì)概論、MOS器件原理與特性、CMOS邏輯部件、MOS集成電路制造工藝基礎(chǔ)、集成電路設(shè)計(jì)與工藝接口及版圖設(shè)計(jì)基礎(chǔ)、晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)、集成電路版圖設(shè)計(jì)、單元庫(kù)設(shè)計(jì)技術(shù)、常用微處理器單元、集成電路測(cè)試技術(shù)與可測(cè)試性技術(shù)、模擬單元與變換電路。
 
主要復(fù)習(xí)內(nèi)容
 
一、集成電路設(shè)計(jì)概論
 
集成電路發(fā)展歷程、分類、設(shè)計(jì)方法、主流制造技術(shù)、設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)主流程、常用術(shù)語(yǔ)及概念。
 
二、MOS器件原理與特性
 
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的工作原理、電特性、模型和基本模型參數(shù)、MOS器件技術(shù)的發(fā)展與挑戰(zhàn)。
 
三、CMOS邏輯部件
 
CMOS倒相器設(shè)計(jì)方法、常見(jiàn)CMOS邏輯門(mén)的原理與設(shè)計(jì)方法。
 
四、MOS集成電路制造工藝基礎(chǔ)
 
集成電路工藝環(huán)境、集成電路基本加工工藝、CMOS基本工藝流程。
 
五、集成電路設(shè)計(jì)與工藝接口及版圖設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
 
設(shè)計(jì)與工藝接口問(wèn)題及工藝對(duì)設(shè)計(jì)的制約、版圖設(shè)計(jì)中電學(xué)設(shè)計(jì)規(guī)則與幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的基礎(chǔ)、工藝檢查與監(jiān)控。
 
六、晶體管規(guī)則陣列設(shè)計(jì)
 
全NMOS結(jié)構(gòu)的ROM電路設(shè)計(jì)及版圖、MOS晶體管開(kāi)關(guān)邏輯電路及應(yīng)用、PLA電路設(shè)計(jì)及應(yīng)用、門(mén)陣列電路和版圖設(shè)計(jì)。
 
七、單元庫(kù)設(shè)計(jì)技術(shù)
 
單元庫(kù)概念、常見(jiàn)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)(反相器、輸入、輸出單元)。
 
八、常用微處理器單元
 
常用微處理器單元的電路圖及工作原理。
 
九、集成電路測(cè)試技術(shù)與可測(cè)試性技術(shù)
 
集成電路故障模型、測(cè)試矢量生成、可測(cè)試性技術(shù)概念。
 
十、模擬單元與變換電路
 
模擬集成電路基本單元、基本偏置電路、放大電路。

以上就是研線網(wǎng)小編整理“2021考研大綱:上海電力大學(xué)2021年碩士研究生入學(xué)復(fù)試《集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》課程考試大綱”的全部?jī)?nèi)容,更多考研大綱信息,請(qǐng)持續(xù)關(guān)注研線網(wǎng)!

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責(zé)任編輯:劉艷欣